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Nome: | Pezzi di ricambio dell'impianto dello ione del tungsteno | Applicazione: | Semiconduttore, impiantazione ionica |
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Forma: | Secondo i disegni | Densità: | 19.1g/cm3 |
Norma: | ASTM B760-1 | Purezza: | 99,95% |
Materiale: | Tungsteno | Superficie: | A terra, lavorato |
Evidenziare: | 99,95% pezzi meccanici tungsteno,99 |
99,95% semiconduttore d'elaborazione su ordinazione Ion Implantation Accessories del tungsteno
Le parti di impiantazione ionica del tungsteno sono una nuova generazione di tecnologia avanzata per il trattamento di superficie del materiale.
L'impiantazione ionica è un processo a bassa temperatura con cui gli ioni di un elemento sono accelerati in un obiettivo solido, quindi cambiante le proprietà chimiche o elettriche di fisico medica, dell'obiettivo. L'impiantazione ionica è utilizzata nella fabbricazione del dispositivo a semiconduttore, nel trattamento di superficie del metallo e nella ricerca di scienza dei materiali.
L'iniettore per impianto dello ione è l'attrezzatura chiave nella fabbricazione del circuito integrato. Quando i raggi ionici che sono sparati sulla superficie del semiconduttore e depositati, la concentrazione in trasportatore ed il tipo della conduzione è cambiato. Possedendo alla sua modifica di superficie eccellente, l'impiantazione ionica ampiamente si applica nel materiale di conduzione dei semi, in metallo, in ceramica, in polimero di grande molecolarità, nell'impiantazione ionica ecc. è essenziale nella fabbricazione del circuito integrato massiccio (IC). Le parti del molibdeno sono componenti chiavi nel sistema di fonte di ione dell'iniettore per impianto dello ione a semiconduttore per reprimere e proteggere la componente di impiantazione ionica del raggio di ionizzazione. .molybdenum per l'iniettore per impianto dello ione.
Specificazione e composizioni chimiche
Materiale | Tipo | Composizione chimica (a peso) |
Tungsteno puro | W1 | >99.95%min. Mo |
Lega di rame del tungsteno | WCu | Cu/50%~90% W di 10%~50% |
Lega pesante di Tungten | WNiFe | 1.5% - 10% Ni, Fe, Mo |
Lega pesante di Tungten | WNiCu | Ni di 9.8% - di 5%, Cu |
Renio del tungsteno | WRe | 5,0% ri |
Tungsteno di Moly | MoW50 | 0,0% W |
Vantaggi delle parti di impiantazione ionica del tungsteno
(1) lo strato di impiantazione ionica non ha interfaccia ovvia con il materiale di matrice, così non c'è frattura di adesione o sbucciarsi sulla superficie ed è legata saldamente con la matrice.
(2) l'impiantazione ionica può controllare esattamente la distribuzione di profondità e di concentrazione degli ioni impiantati controllando la dose di impianto, l'energia di impianto e la densità del fascio.
(3) l'impiantazione ionica è effettuata generalmente nella temperatura ambiente e nel vuoto. La superficie lavorata del pezzo in lavorazione è invisibile ed esente dall'ossidazione. Può mantenere l'accuratezza dimensionale originale e la rugosità di superficie. È particolarmente adatto a processo finale delle parti di alta precisione.
(4) la sollecitazione di compressione può essere formata sullo strato superficiale del pezzo in lavorazione per ridurre le crepe di superficie.
(5) l'alto vuoto pulito ed il processo ed i materiali non tossici sono adottati, la temperatura del trattamento è bassa e la prestazione globale del materiale da trattare non è colpita.
Applicazione: pezzi di ricambio di iniettore per impianto dello ione del tungsteno per il semiconduttore
1. La maggior parte delle parti del tungsteno per impiantazione ionica sono utilizzate nell'industria a semiconduttore;
parti del tungstem dei prodotti 2.We per impiantazione ionica con alta densità, purezza ed accuratezza e struttura interna omogenea;
3. Le nostre parti del tungsteno per impiantazione ionica sono adatte ad iniettore per impianto corrente del fascio moderato e ad iniettore per impianto corrente del forte fascio;
4. le parti del tungsteno per impiantazione ionica sono fatte secondo il disegno del cliente.
Persona di contatto: Lisa Ma
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